2026年哈工大光刻机技术最新进展：120W 13.5nm

一、核心技术突破：EUV 光源（DPP 路线）

1. 技术路线与定位：赵永蓬教授团队采用 DPP 放电等离子体路线，区别于 ASML 的 LPP 激光等离子体路线，可绕开部分海外专利，核心波长锁定 13.5nm（EUV 光刻标准波长）。
2. 关键性能指标（截至 2025 年底）
   • 功率：实验室稳定输出 120W（实用级），连续运行 100 小时波动率＜0.8%，30 分钟波动＜1%，满足曝光系统需求。
   • 效率与成本：能量转换效率提升显著，设备体积缩小 40%，成本较 LPP 路线降低约 30%-50%，核心部件国产化率 100%。
   • 稳定性：通过核聚变等离子体控制技术解决稳定输出难题，单脉冲能量 40mJ，稳定性达 99.73%，支撑量产级曝光精度。
    
3. 成果与荣誉：2025 年获中国光学领域重要奖项，相关技术入选重大技术装备推广应用指导目录，推动国产 EUV 光源工程化验证。

二、配套技术进展

1. 精密测量与工件台：研发 “高速超精密激光干涉仪”，测量数据可直接溯源，支撑真空双工件台对准精度达 0.8nm，适配 EUV 整机定位需求。
2. 协同研发与产业化：与国仪超精密集团共建生产线，推进光源量产；参与国产 EUV 整机 Hyperion - 1 研发，计划 2025 年 Q3 试产、2026 年量产，目标年产能 50 台，适配 7nm 工艺验证。
3. 光学系统适配：与长春光机所等协同，适配 0.33NA 物镜（波像差＜0.75nm）、反射率 65.3% 的多层膜反射镜，提升 EUV 光传输与聚焦效率。

三、对比与挑战

四、意义与展望

1. 产业价值：填补国产 EUV 光源空白，为上海微电子等整机厂商提供国产化核心部件，加速 7nm 及以下制程自主研发，降低对 ASML 依赖。
2. 未来方向：2026 年重点推进 120W 光源量产、功率提升至 200W+，优化寿命与维护成本；协同整机厂完成良率验证，目标良率从 35% 提升至 70%，支撑中芯国际等企业先进工艺落地。

总结

哈工大 DPP 光源 vs ASML LPP 光源：关键参数对比表（含 2026 追赶里程碑）

2026 年哈工大 DPP 光源追赶里程碑时间表

关键结论与展望

1. 路线优势：哈工大 DPP 光源通过差异化技术路线，在成本、体积、国产化率上形成显著优势，为国产 EUV 光刻机提供了高性价比选择。
2. 追赶节奏：2026 年将是关键突破年，功率、效率指标有望大幅缩小与 ASML 差距，良率提升至 70%，基本满足 7nm 工艺量产需求。
3. 产业价值：DPP 光源的成熟将加速 Hyperion-1 整机试产，为中芯国际等企业提供先进制程选择，降低对 ASML 的依赖。